De acordo com pt.wedoany.com-A United Monolithic Semiconductors (UMS) lançou o amplificador de potência de três estágios CHA8265-98F, que opera na faixa de frequência de 27,5 GHz a 31 GHz, projetado para comunicações via satélite na banda Ka, infraestrutura 5G e outros sistemas de micro-ondas que exigem alta potência de saída e eficiência.

Quando opera com tensão de dreno de 25 V, este amplificador oferece potência de saída saturada típica de 25 W, com eficiência de potência adicionada (PAE) de aproximadamente 30%. Em condições de operação linear, pode fornecer 10 W de potência de saída com distorção de intermodulação de terceira ordem de -25 dBc, mantendo a PAE acima de 25%. Segundo a UMS, o dispositivo suporta uma faixa de polarização de dreno de 18 V a 25 V, permitindo potência de saída saturada de 15 W a 25 W, dependendo da tensão de operação.

O CHA8265-98F é fabricado com tecnologia GaN-on-SiC HEMT, um processo semicondutor comumente utilizado em aplicações de RF de alta frequência e alta potência. O dispositivo é fornecido na forma de chip nu, com entrada e saída casadas para 50 Ω, facilitando a integração em diversos projetos de sistemas de micro-ondas.

Segundo a UMS, este amplificador é projetado para terminais de comunicações via satélite, equipamentos de rádio 5G e outras plataformas de micro-ondas que necessitam de alta potência de saída no espectro da banda Ka. A combinação de potência de saída, eficiência e largura de banda operacional visa apoiar projetistas de sistemas no desenvolvimento de equipamentos de comunicação sem fio e via satélite de próxima geração.