Changxin Memory Technologies da China avança na atualização da linha de produção em massa de DRAM e no desenvolvimento de tecnologia de ponta

De acordo com pt.wedoany.com-A empresa chinesa de chips de memória Changxin Memory Technologies anunciou a direção da próxima fase de construção tecnológica, planejando focar na atualização da linha de produção em massa de fabricação de wafers de memória, na iteração da tecnologia de memória DRAM e na pesquisa de tecnologia de ponta de memória de acesso aleatório dinâmico. Os arranjos relacionados abrangem a reforma das linhas de produção existentes, a otimização dos processos de fabricação e o desenvolvimento de novas tecnologias, com ênfase em melhorar a capacidade de fabricação em escala de chips de memória e a base para iterações subsequentes de produtos.

A atualização tecnológica da linha de produção em massa de fabricação de wafers de memória é um dos conteúdos centrais desta rodada de construção. A produção de DRAM envolve múltiplos processos de fabricação, como fotolitografia, gravação, deposição de filmes finos, implantação iônica, limpeza e inspeção. A atualização da linha de produção não se trata simplesmente de aumentar o número de equipamentos, mas requer o ajuste simultâneo do fluxo do processo, do ritmo de produção, dos parâmetros do equipamento e do sistema de controle de qualidade. Para empresas de chips de memória que já estão em produção em escala, a reforma da linha de produção também deve minimizar o impacto na produção existente e, após a introdução de novos equipamentos e processos, realizar a validação, a rampa de produção e a operação estável.

A Changxin Memory Technologies também promoverá a atualização da tecnologia de memória DRAM. A memória de acesso aleatório dinâmico é amplamente utilizada em servidores, computadores pessoais, terminais móveis e data centers, e sua capacidade, largura de banda, consumo de energia e estabilidade afetam diretamente o desempenho operacional de sistemas completos e sistemas de computação. Com a inteligência artificial, a computação em nuvem e a computação de alto desempenho impondo requisitos mais elevados ao desempenho da memória, os produtos DRAM precisam formar uma sinergia mais estreita entre design de chips, processos de fabricação, teste e embalagem e adaptação do sistema para atender às demandas de aplicações como alta largura de banda, grande capacidade e baixo consumo de energia.

Em comparação com a atualização da linha de produção em massa, a pesquisa de tecnologia de ponta de memória de acesso aleatório dinâmico concentra-se mais na preparação tecnológica de médio e longo prazo. O trabalho relacionado pode envolver direções como estrutura de células de memória, sistemas de materiais, rotas de processo e arquitetura de produto, passando por várias etapas, como design de esquemas, fabricação de amostras, teste de desempenho e validação de confiabilidade. Somente quando os resultados da pesquisa puderem ser validados por engenharia e conectados ao sistema de fabricação existente, eles poderão avançar para a linha de produção em massa e aplicações finais.

Zhu Yiming, presidente da Changxin Memory Technologies, afirmou que a capacidade de produção atual da empresa ocupa o primeiro lugar na China e o quarto lugar globalmente. Com o avanço dos projetos de fabricação de wafers e desenvolvimento tecnológico, as demandas relacionadas serão ainda mais transmitidas para áreas como design de chips de memória, software EDA, equipamentos semicondutores, materiais, componentes, fabricação de módulos e aplicações finais downstream. Para fornecedores de equipamentos e materiais, os pontos subsequentes que merecem mais atenção incluem o escopo da reforma da linha de produção, o ritmo de introdução de equipamentos, os requisitos de adaptação de processo e o progresso da rampa de produção em massa.

Do ponto de vista da cadeia industrial, a melhoria da capacidade de produção em massa de DRAM requer a cooperação conjunta de equipamentos de fabricação, materiais-chave, componentes e sistemas de teste. Equipamentos de fotolitografia, gravação, deposição e inspeção precisam se adaptar aos novos requisitos de processo, enquanto os fornecedores de materiais devem garantir a estabilidade e consistência dos produtos necessários durante o processo de fabricação de wafers. Fabricantes de módulos e terminais também precisam realizar a validação do sistema com base nos novos produtos de memória. Se os projetos subsequentes da Changxin Memory Technologies podem avançar sem problemas dependerá se o desenvolvimento tecnológico, a introdução de equipamentos, a validação de produção e a cadeia de suprimentos podem ser concluídos de forma síncrona.

A direção de construção anunciada desta vez indica que, na próxima fase, a Changxin Memory Technologies continuará a concentrar recursos nas três linhas principais: fabricação de wafers de memória, atualização da tecnologia DRAM e pesquisa de ponta. Os principais progressos subsequentes incluem o início da reforma da linha de produção em massa, instalação e comissionamento de equipamentos, validação de processo, liberação de capacidade e transformação dos resultados de pesquisa e desenvolvimento. Esses pontos afetarão diretamente a capacidade de fabricação de chips de memória da empresa e a velocidade de iteração de produtos.