Samsung da Coreia do Sul planeja adotar o processo de 3 nanômetros da TSMC para produzir chips HBM personalizados da Nvidia

De acordo com pt.wedoany.com-Em 18 de outubro, informações da indústria de semicondutores da Coreia do Sul revelaram que a Samsung Electronics planeja adotar o processo de 3 nanômetros da TSMC para produzir o die base do NVHBM, a próxima geração de memória de alta largura de banda personalizada da Nvidia. A Nvidia exigiu que Samsung Electronics, SK Hynix e Micron adotem uniformemente o processo de 3 nanômetros da TSMC para a fabricação do die base, e utilizem o processo de DRAM 1c de 10 nanômetros de sexta geração para produzir o die central de armazenamento. A Samsung teria aceitado as exigências após deliberação interna, e as duas partes planejam cooperar pela primeira vez na etapa de fabricação de chips HBM.

A Samsung anteriormente adotava um modelo de fabricação próprio, com sua divisão de fundição produzindo o die base do HBM e a divisão de memória responsável pela fabricação do die central. Atualmente, o HBM4 da Samsung e o HBM4E, que está em processo de validação de produção em massa, utilizam o processo próprio de 4 nanômetros para a fabricação do die base, enquanto o die central é produzido nas linhas de DRAM 1c das fábricas de Hwaseong e Pyeongtaek. De acordo com o plano divulgado desta vez, a Samsung continuará mantendo o modelo de fabricação próprio no HBM padrão e em produtos personalizados voltados para outros clientes, como a AMD.

A Nvidia lançou a tecnologia NVHBM em 26 de agosto, integrando um controlador de memória personalizado ao die base do HBM. De acordo com a arquitetura divulgada, em comparação com o HBM4E padrão, o NVHBM pode proporcionar um aumento de até 30% na largura de banda de memória por pilha, uma redução de 15% no consumo de energia do HBM e liberar até 25% da área do chip de computação XPU. A Nvidia planeja que vários fornecedores de memória forneçam produtos NVHBM com arquitetura unificada, reduzindo o trabalho de adaptação e validação entre produtos de diferentes fabricantes.

A Samsung e a TSMC já haviam cooperado anteriormente em compatibilidade envolvendo processos avançados de empacotamento necessários para a conexão do HBM com a unidade de processamento gráfico. O arranjo de fabricação ora proposto estende a cooperação à produção do die base. Profissionais da indústria de semicondutores da Coreia do Sul também revelaram que a Samsung está verificando a viabilidade de utilizar seu próprio processo de fundição de 2 nanômetros para fabricar o die base do NVHBM, a fim de lidar com possíveis limitações de capacidade de fornecimento das linhas de produção relacionadas da TSMC no futuro.