Uma equipe de pesquisa da Universidade Kyushu, no Japão, desenvolveu uma nova tecnologia para fabricação de memória magnética de acesso aleatório (MRAM) utilizando materiais de ítrio-terbium-garnet (TmIG), visando maior eficiência energética. O estudo busca atender à crescente demanda de consumo energético em data centers, especialmente para aplicações de computação de alto desempenho, como inteligência artificial generativa. Usando a técnica de sputtering magnético coaxial, os pesquisadores aplicaram corrente sobre uma camada de platina depositada sobre o TmIG, invertendo a magnetização do isolante magnético e demonstrando seu potencial como material para MRAM.

A equipe produziu filmes finos de TmIG por sputtering coaxial e depositou uma camada de platina de 3 nanômetros de espessura sobre eles. O professor adjunto Naoto Yamoto, da Faculdade de Ciências da Informação e Engenharia Elétrica da Universidade Kyushu, comentou: “O torque de spin-orbita é uma tecnologia promissora para resolver problemas de consumo de energia. Ele permite controlar a direção de microímãs em filmes finos por meio de eletricidade, possibilitando a produção de MRAMs mais rápidas.” Este método de fabricação de memória magnética também apresenta maior custo-benefício em comparação com processos tradicionais.

Desde seu desenvolvimento no Japão em 2012, os materiais de TmIG têm atraído atenção devido à sua capacidade de gravação de dados em alta velocidade e baixo consumo de energia em temperatura ambiente. Experimentos recentes confirmaram que o novo material para MRAM atinge eficiência de gravação de 0,7×10¹¹ A/m², comparável ao desempenho de filmes produzidos por métodos tradicionais. Os resultados do estudo foram publicados na revista npj Spintronics.

Este avanço representa um passo importante na transição da pesquisa fundamental para aplicações práticas em tecnologias de memória magnética. A equipe já iniciou o desenvolvimento de dispositivos funcionais baseados nesse material, com o objetivo de construir uma sociedade da informação mais sustentável. O desenvolvimento dessa nova MRAM oferece um caminho tecnológico promissor para hardware de computação de alta eficiência energética.