De acordo com pt.wedoany.com-Em 3 de junho, a Navitas Semiconductor, dos EUA, anunciou sua participação no ecossistema MGX da NVIDIA, promovendo soluções de semicondutores de potência para infraestrutura de IA de 800 V CC. A empresa está demonstrando uma placa de entrega de energia de conversão CC de 800 V para 6 V, voltada para cenários de alimentação da próxima geração de data centers de IA, racks de GPU de alta densidade e servidores de IA de nível megawatt.
A infraestrutura de IA está levando os sistemas de energia dos data centers a tensões mais altas, maior densidade de potência e caminhos de alimentação mais curtos. A arquitetura tradicional de fonte de alimentação de servidores geralmente requer uma etapa de conversão de barramento intermediário de 48 V. Com o aumento contínuo do consumo de energia por rack, essa etapa ocupa espaço, aumenta as perdas de conversão e pressiona a dissipação de calor, o uso de cabos de cobre e a resposta transitória. A placa de entrega de energia de conversão CC de 800 V para 6 V demonstrada pela Navitas Semiconductor utiliza a tecnologia GaNFast de nitreto de gálio, com o objetivo de eliminar a etapa de conversão de barramento intermediário tradicional de 48 V dentro do tray do servidor de computação, permitindo que a energia seja convertida mais diretamente próximo à placa da GPU. Para fábricas de IA e data centers de alta densidade, o sistema de alimentação não é mais apenas uma instalação de suporte da sala de servidores, mas um componente básico crítico que afeta a densidade de implantação de GPUs, a eficiência do sistema, o design térmico e o custo total de propriedade.
Esta placa de entrega de energia está sendo exibida na área de demonstração do ecossistema AI Factory MGX da NVIDIA durante a Computex 2026 em Taipei. O produto utiliza 16 FETs GaNFast de 650 V e 11 miliohms, com eficiência de pico alvo de 97,5%, frequência de comutação de 1 MHz e densidade de potência de até 2100 W/polegada cúbica.
O ponto de entrada de valor da Navitas Semiconductor vem dos dispositivos de potência de banda larga. Os dispositivos de nitreto de gálio são adequados para conversão CC de alta frequência e alta eficiência, enquanto os dispositivos de carboneto de silício são mais adequados para as etapas de alimentação frontal de alta tensão, alta potência e da rede elétrica ao rack. A NVIDIA está impulsionando a evolução das fábricas de IA da alimentação de baixa tensão tradicional para a arquitetura de 800 V CC, impulsionada pelas restrições sistêmicas decorrentes do aumento do consumo de energia por rack para o nível de megawatt: quanto maior a corrente, maiores as perdas no cobre, o volume dos cabos, a pressão térmica e os níveis de conversão de energia; aumentar a tensão do barramento ajuda a reduzir a corrente e melhorar a eficiência da transmissão de energia. A Navitas Semiconductor combina nitreto de gálio e carboneto de silício nesta arquitetura, com o objetivo de cobrir toda a cadeia, desde a conversão de alta tensão do lado da rede elétrica até a entrega de energia próxima à GPU, e suportar designs de servidores de IA mais compactos através de maior densidade de potência.
O mercado de capitais amplificou rapidamente esta notícia de cooperação. Dados de mercado mostram que as ações da Navitas Semiconductor foram negociadas recentemente a US$ 30,84, uma alta de aproximadamente 19,2% em relação ao preço de fechamento anterior, atingindo US$ 34,12 durante o pregão, com um valor de mercado de cerca de US$ 7,09 bilhões. Para uma empresa focada em semicondutores de potência, entrar no ecossistema de infraestrutura de IA da NVIDIA significa que sua narrativa de produto se estende ainda mais, de eletrônicos de consumo, fontes de alimentação industriais e aplicações de nova energia para o sistema de alimentação de data centers de IA. À medida que o consumo de energia dos servidores de IA continua a aumentar, os data centers precisam não apenas de mais GPUs, switches de rede e sistemas de resfriamento líquido, mas também de arquiteturas de alimentação mais eficientes para suportar a expansão contínua.
O impacto subsequente ainda depende da velocidade real de adoção da arquitetura de 800 V CC em data centers de IA e se as placas de energia, dispositivos GaN e dispositivos SiC relacionados da Navitas Semiconductor podem entrar em projetos de sistema de maior escala. A construção de infraestrutura de IA já se expandiu da competição de poder computacional de chips para a competição em alimentação, resfriamento, interconexão e arquitetura de nível de rack, abrindo assim uma nova janela de crescimento para empresas de semicondutores de potência. A cooperação da Navitas Semiconductor com o ecossistema MGX da NVIDIA mostra que a cadeia de suprimentos de data centers de IA está se reestruturando em direção a uma infraestrutura elétrica de maior tensão, maior densidade e menor perda.
Este texto foi elaborado por Wedoany. Qualquer citação por IA deve indicar a fonte “Wedoany”. Em caso de infração ou outros problemas, informe-nos prontamente, por favor. O conteúdo será corrigido ou removido. E-mail: news@wedoany.com
