De acordo com pt.wedoany.com-A MACOM Technology Solutions anunciou um novo processo de via térmica em nível de chip baseado em sua tecnologia proprietária de diodo AlGaAs. Esse processo roteia sinais de RF e caminhos de terra verticalmente através do próprio chip semicondutor, substituindo as conexões tradicionais de fio de ligação e a tecnologia de montagem superficial (SMT) baseada em pilares de cobre. Ao eliminar os fios de ligação externos tradicionais, a tecnologia reduz a complexidade de montagem, melhora a consistência de fabricação e diminui a indutância e resistência parasitárias, resultando em baixa perda de inserção e alta isolação em frequências de ondas milimétricas.
Junto com o lançamento do processo, a MACOM apresentou o primeiro produto a utilizar essa tecnologia: o MASW-011261, uma chave SP2T de banda larga operando na faixa de 60 a 110 GHz. A chave utiliza um encapsulamento compacto em nível de chip de 1,87 mm x 1,98 mm, com perda de inserção típica de 0,9 dB, isolação de 30 dB e velocidade de comutação inferior a 20 ns. A MACOM posiciona esse processo para funções de controle de alta frequência, incluindo chaves e limitadores, e exibirá a tecnologia esta semana no Simpósio Internacional de Micro-ondas (IMS 2026) em Boston.
As principais características do processo incluem: Roteamento vertical — roteia sinais de RF e caminhos de terra diretamente através do chip AlGaAs verticalmente, eliminando fios de ligação tradicionais; Redução de parasitários — reduz significativamente os efeitos parasitários, garantindo alta integridade de sinal e desempenho confiável nas profundezas do espectro de ondas milimétricas; Primeiro chip — lançado através do MASW-011261, uma chave com perda de inserção de 0,9 dB e velocidade de comutação inferior a 20 ns; Aplicações-alvo — personalizado para infraestrutura de controle de RF de alta frequência, incluindo chaves, limitadores e sistemas aeroespaciais/de defesa; Demonstração ao vivo — a MACOM exibirá o processo de via térmica no estande #17035 durante a IMS 2026 (9 a 11 de junho).
Stephen G. Daly, presidente e CEO da MACOM, afirmou que o novo processo AlGaAs baseado em via térmica pode reduzir a complexidade de montagem enquanto melhora o desempenho de alta frequência de componentes integrados. À medida que o encapsulamento avançado continua a dominar as discussões sobre inteligência artificial e redes de alta velocidade, o lançamento da MACOM destaca que a inovação em encapsulamento é igualmente crucial no domínio de RF de altíssima frequência e ondas milimétricas. Os fios de ligação tradicionais introduzem efeitos parasitários imprevisíveis, degradando o sinal em frequências extremamente altas, como 100 GHz. Ao transferir a arquitetura de interconexão para o interior do chip através do processo de via térmica, a MACOM preenche a lacuna entre a capacidade bruta do silício e a fabricação prática de montagem superficial. Para dispositivos focados em comunicações via satélite de próxima geração, backhaul sem fio 5G/6G e hardware de radar de alta frequência, isso representa um grande avanço na montagem de componentes de alta frequência com alto rendimento.
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