Uma equipe conjunta de pesquisadores japoneses publicou um artigo na revista *Nature Communications*, confirmando que filmes finos de dióxido de rutênio possuem magnetismo alternado. Essa descoberta fornece uma nova base potencial para o desenvolvimento de dispositivos de armazenamento magnético de alta velocidade e alta densidade de próxima geração.

A equipe de pesquisa era composta por pesquisadores do Instituto Nacional de Ciência de Materiais, da Universidade de Tóquio, do Instituto de Tecnologia de Kyoto e da Universidade de Tohoku. Eles fabricaram com sucesso filmes finos de dióxido de rutênio de alta qualidade com orientação cristalina consistente em substratos de safira. Ao otimizar a seleção do substrato e as condições de crescimento, a equipe superou o desafio de resultados experimentais inconsistentes e a dificuldade em verificar claramente as propriedades magnéticas encontradas anteriormente em outros países.

Os pesquisadores utilizaram espectroscopia de dicroísmo linear magnético de raios X para analisar o arranjo de spin e a estrutura magneticamente ordenada do filme, confirmando a característica de cancelamento mútuo da magnetização líquida. Simultaneamente, o fenômeno de magnetoresistência com divisão de spin observado também verificou a estrutura eletrônica do material sob uma perspectiva elétrica. Esses resultados experimentais, consistentes com cálculos de primeiros princípios, confirmam conjuntamente que o filme fino de dióxido de rutênio possui magnetismo alternado.

O magnetismo alternado é o terceiro tipo fundamental de magnetismo confirmado, após o ferromagnetismo e o antiferromagnetismo. Comparados aos materiais ferromagnéticos tradicionais, os materiais com propriedades magnéticas alternadas mostram-se promissores na combinação da resistência à interferência de campos magnéticos externos com a compatibilidade na leitura de informações por meio de sinais elétricos. Isso é significativo para melhorar a densidade de dados e a estabilidade da memória. A equipe de pesquisa destaca que essa descoberta reforça o potencial dos filmes finos de dióxido de rutênio como materiais candidatos para futuros dispositivos de armazenamento magnético de alta velocidade e alta densidade.

Com base nessa conquista, a equipe de pesquisa planeja desenvolver ainda mais dispositivos de memória de próxima geração baseados em filmes finos de dióxido de rutênio. Espera-se que esses dispositivos aproveitem a resposta de alta velocidade inerente e a alta integração das propriedades magnéticas alternadas para melhorar a eficiência energética do processamento de informações. Além disso, as técnicas de análise magnética estabelecidas neste estudo também podem ser aplicadas para explorar outros novos materiais magnéticos.