De acordo com pt.wedoany.com-Recentemente, o Instituto 55 da China Electronics Technology Group Corporation (CETC) entregou mais de 5 milhões de unidades de seu chip de radiofrequência (RF) de nitreto de gálio sobre silício (GaN-on-Si) desenvolvido internamente para terminais inteligentes. O produto é utilizado na cadeia de RF de terminais inteligentes, marcando a entrada do chip de RF GaN-on-Si em uma fase de comercialização em larga escala no lado do terminal. Isso também fornece suporte para chips amplificadores de potência de RF de menor custo e maior desempenho em áreas como redes de informação integradas ar-espaço-terra, comunicações 6G, voos espaciais comerciais, economia de baixa altitude e comunicações de emergência.
O segredo desse feito não é apenas "ultrapassar 5 milhões de unidades entregues", mas sim o fato de que a rota tecnológica do GaN-on-Si está começando a migrar de cenários especializados de alto nível para aplicações em terminais inteligentes em maior escala. O chip amplificador de potência de RF é frequentemente considerado o "coração do sinal" de um sistema de comunicação, pois determina a potência, eficiência, linearidade e estabilidade do sinal transmitido pelo terminal, afetando diretamente a distância de cobertura da comunicação, a qualidade do enlace, a taxa de transmissão e a autonomia do dispositivo. Dispositivos tradicionais de nitreto de gálio (GaN) possuem alta densidade de potência, alta eficiência e características de alta frequência, mas seu custo, maturidade do processo, rendimento e capacidade de fabricação em larga escala têm restringido sua aplicação no mercado de terminais de maior escala. O GaN-on-Si, ao preparar o sistema de material de nitreto de gálio sobre um substrato de silício, combina as vantagens de alto desempenho do GaN com o custo e a base de fabricação do processo de silício, sendo mais adequado para impulsionar os chips de RF de terminal de aplicações de pequeno lote para entregas na casa dos milhões e dezenas de milhões. O Instituto 55 da CETC e sua subsidiária, a Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd., realizaram uma pesquisa em toda a cadeia, abrangendo a preparação epitaxial de materiais, o projeto independente de chips, a validação de processos completos e o teste de confiabilidade do produto, formando uma série de produtos que cobrem subsistemas de comunicação de carga útil de satélite, terminais de comunicação de plataforma de baixa altitude e módulos de transmissão de dados, estações terrestres de gateway e chips de RF para terminais inteligentes, estabelecendo a base para que a tecnologia GaN-on-Si passe de avanços pontuais para aplicações de engenharia.
Os requisitos para chips de RF em redes de informação integradas ar-espaço-terra são mais complexos: o terminal deve manter uma conexão estável entre redes celulares terrestres, enlaces de comunicação por satélite, plataformas de baixa altitude e ambientes de comunicação de emergência. O chip amplificador de potência deve não apenas ter alta eficiência, mas também considerar ampla largura de banda, alta linearidade e alta confiabilidade.
Do ponto de vista da aplicação industrial, chips PA (amplificador de potência) de baixo custo e alto desempenho estão se tornando componentes-chave para a atualização de futuros terminais de comunicação. O desenvolvimento de 6G, voos espaciais comerciais, economia de baixa altitude, sistemas não tripulados, comunicações de emergência e acesso à banda larga em áreas remotas exigem que mais terminais tenham capacidade de comunicação entre cenários. Se o custo do chip de RF for muito alto, o consumo de energia for muito grande ou a confiabilidade for insuficiente, será difícil implantar a rede integrada ar-espaço-terra em larga escala em terminais comuns, plataformas de baixa altitude, dispositivos portáteis e terminais especializados da indústria. A comercialização em larga escala de chips de RF GaN-on-Si significa que a capacidade de alta potência, alta eficiência, largura de banda ultra-ampla e alta confiabilidade pode entrar em sistemas de dispositivos mais amplos a um custo mais controlável. Para os fabricantes de terminais, isso ajuda a melhorar a estabilidade do enlace de comunicação e a capacidade de adaptação a múltiplos cenários; para operadoras e empresas de internet via satélite, a melhoria da capacidade de RF no lado do terminal pode melhorar a qualidade da conexão em bordas de cobertura e ambientes de sinal fraco; para cenários de economia de baixa altitude e comunicações de emergência, os chips PA de alto desempenho estão diretamente relacionados à capacidade de transmissão confiável de drones, plataformas de baixa altitude, terminais de comando móvel e dispositivos de comunicação de campo.
O valor futuro desses chips dependerá da capacidade de produção contínua em massa, da velocidade de adaptação dos clientes de terminais, da cobertura de produtos em diferentes faixas de frequência e dos resultados de testes de confiabilidade. A entrega de mais de 5 milhões de unidades já provou que os chips de RF GaN-on-Si têm a base para entrar no mercado de terminais em escala, mas para passar de um avanço de produto único para um ecossistema industrial, é necessária uma colaboração mais estreita com fabricantes de módulos, fabricantes de terminais completos, empresas de equipamentos de comunicação e integradores de sistemas. Com a aceleração da construção de redes de informação integradas ar-espaço-terra, os chips de RF passarão de componentes básicos na cadeia da indústria de comunicação para se tornarem uma capacidade fundamental subjacente que determina a cobertura global e a experiência de conectividade de alta velocidade no futuro.
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