De acordo com pt.wedoany.com-A fornecedora de materiais semicondutores IQE e a fundição Tower Semiconductor assinaram um acordo de vários anos para desenvolver em conjunto soluções de conexão óptica baseadas na tecnologia de fosfeto de índio (InP), visando apoiar a infraestrutura de data centers impulsionada por IA para aplicações industriais.
O acordo foca no fornecimento de wafers epitaxiais de InP. A IQE fornecerá wafers epitaxiais para várias plataformas de fotônica de silício da Tower, suportando tecnologias ópticas projetadas para ambientes de IA de alto desempenho, utilizadas em fábricas inteligentes e sistemas de manufatura avançada.
O escopo da colaboração abrange tecnologias de produção que suportam transceptores plugáveis de 200 Gb/s por canal, com planos de desenvolver moduladores futuros de 400 Gb/s por canal. O acordo também envolve aplicações de comutação de caminho óptico — uma tecnologia que tem atraído atenção por ajudar operadores a gerenciar de forma mais eficiente o tráfego interno de grandes data centers de IA que atendem à indústria manufatureira.
Com o aumento da implantação de IA no setor industrial, a infraestrutura de rede tornou-se um gargalo crítico. Componentes ópticos usados para transmissão de dados entre sistemas estão atraindo novos investimentos em toda a cadeia de suprimentos. Este acordo consolida a posição da IQE no mercado de infraestrutura de IA e nuvem que apoia a digitalização da manufatura.
A CEO da IQE, Jutta Meier, afirmou estar satisfeita em colaborar com a Tower, que já é líder em fotônica de silício. O acordo fortalece a posição da IQE no mercado global de infraestrutura de hiperescala e nuvem de IA. Com décadas de experiência em tecnologia epitaxial de InP e capacidade comprovada de produção em alto volume, a IQE está pronta para apoiar a próxima geração de aplicações de conexão óptica, desde a inovação até a implantação comercial.
A IA está impulsionando a competição por chips mais potentes, mas a infraestrutura que conecta esses processadores é igualmente importante. À medida que operadores de hiperescala constroem clusters de IA maiores, mover grandes volumes de dados entre servidores, switches e sistemas de armazenamento representa um grande desafio. A tecnologia de rede óptica é vista como uma solução, pois permite que data centers expandam a largura de banda enquanto gerenciam consumo de energia e latência.
A parceria combina a expertise da IQE em materiais semicondutores compostos com a capacidade de fabricação madura de fotônica de silício da Tower. A fotônica de silício utiliza processos de fabricação de semicondutores para integrar componentes de comunicação óptica, ajudando a melhorar o desempenho e suportar a produção em larga escala. A Tower afirmou que adicionar componentes baseados em InP às suas plataformas de fotônica de silício ajudará a atender aos requisitos de desempenho da futura infraestrutura de IA.
O Dr. Marco Racanelli, presidente da Tower Semiconductor, afirmou estar satisfeito em colaborar com a IQE, que se torna um fornecedor chave para sua próxima geração de tecnologia fotônica, adicionando componentes de alto desempenho de InP a uma plataforma madura de fotônica de silício de alto volume.
Além do acordo de fornecimento, as duas partes também resolveram uma disputa de propriedade intelectual. Sob um acordo separado, a Tower concederá à IQE uma licença global livre de royalties, cobrindo patentes de silício poroso envolvidas em litígios anteriores entre as duas empresas. A resolução remove um obstáculo potencial, permitindo que ambas as empresas se concentrem em expandir seus papéis no mercado de IA em rápido crescimento.
