Microchip Technology dos EUA lança módulo de potência SiC de 3,3 kV

De acordo com pt.wedoany.com-A Microchip Technology lançou um novo módulo de potência HV D3 mSiC® de 3,3 kV, projetado para suportar arquiteturas de Transformadores de Estado Sólido (SST) em centros de dados de IA de hiperescala e outros sistemas de energia de alta tensão. O módulo integra MOSFETs mSiC de carboneto de silício (SiC) de 3,3 kV e díodos Schottky numa embalagem padrão de 62 mm, permitindo a conversão direta de potência de média tensão para o bastidor, com o objetivo de aumentar a eficiência e reduzir a complexidade do sistema.

Com a expansão da infraestrutura de IA, a disponibilidade de energia e a eficiência energética tornaram-se fatores críticos para maximizar a geração de tokens e reduzir os custos operacionais. As arquiteturas de distribuição de energia tradicionais, baseadas em transformadores de baixa frequência, introduzem estágios de conversão adicionais, maiores perdas e uma maior área ocupada pelo sistema. Os Transformadores de Estado Sólido resolvem estas limitações ao permitir uma distribuição de corrente contínua de média tensão mais eficiente e reduzir o número de estágios de conversão.

Os módulos HV D3 mSiC da Microchip foram concebidos para satisfazer os requisitos térmicos e elétricos destes sistemas. Estes dispositivos utilizam a tecnologia mSiC MOSFET, com desempenho RDS(on) estável sob diferentes variações de temperatura. A embalagem suporta isolamento de 6 kV, utiliza material CTI 600 e oferece distâncias de fuga alargadas para garantir a segurança em operações em série de alta tensão. Além disso, o substrato de nitreto de silício melhora a condutividade térmica e a fiabilidade dos ciclos de potência, suportando assim uma maior densidade de potência com menores requisitos de arrefecimento.

Estes módulos estão disponíveis em configurações de meia-ponte e fonte comum, com díodos Schottky antiparalelos opcionais, destinados a aplicações na gama de 100 A a 300 A. As características de comutação dos MOSFETs mSiC suportam topologias de comutação forçada e suave, comummente utilizadas em sistemas SST de alta frequência.

Além dos centros de dados de IA, os novos módulos de potência destinam-se também a infraestruturas de carregamento de veículos elétricos de escala megawatt, sistemas de alimentação auxiliar para caminhos-de-ferro e transporte pesado, acionamentos de motores de média tensão, bem como aplicações industriais e de defesa que requerem conversão de potência de alta tensão eficiente.

O módulo de potência mSiC de 3,3 kV é acompanhado por notas de aplicação, guias de design e modelos de simulação para acelerar as fases de desenvolvimento e prototipagem.

O módulo já está disponível em quantidades de produção.